Автор работы: Пользователь скрыл имя, 06 Ноября 2013 в 20:29, реферат
Газофазное эпитаксиальное наращивание на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ осуществляется из металлоорганических соединений в реакторе при пониженном давлении. Газофазная эпитаксия(процессам выращивания тонких монокристаллических слоев на монокристаллических подложках) первоначально разрабатывалась для выращивания кремния и арсенида галлия(тройное соединение мышьяка с трехвалентными индием и галлием, соединение переменного состава GaAs), сейчас применяется для выращивания большинства полупроводниковых материалов, используемых в микро- и оптоэлектронике.