Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов

Данная выпускная работа посвящена применению компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур, влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Данный метод исследования выбран по причине того, что он обеспечивает изучение широкого класса и большого количества типономиналов приборов. Он является безопасным (используются математические уравнения, описывающие работу различных полупроводниковых приборов) и оперативным методом их изучения и исследования. Разновидности исследованных структур включают как полную структуру прибора, так и отдельные элементы его структуры (барьерную ёмкость электронно-дырочного перехода, диффузионный резистор полупроводниковой интегральной микросхемы).