Биполярный транзистор
26 Ноября 2013 в 07:03, курсовая работа
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости.
При решении многих инженерных задач, например при измерении электрических и неэлектрических величин, приеме радио сигналов, контроле и автоматизации технологических процессов, возникает необходимость в усилении электрических сигналов. Для этой цели служат усилители.
Биполярные транзисторы
14 Июня 2013 в 19:35, реферат
Биполярный транзистор — трёхэлектродный электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзистор называется биполярный, поскольку в работе прибора одновременно участвуют два типа носителей заряда – электроны и дырки (от слова «би» — «два»). Этим он отличается от униполярного (полевого) транзистора, в работе которого участвует только один тип носителей заряда. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По способу чередования дырочной и электронной проводимости различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный).
Обзор биполярных транзисторов
17 Января 2014 в 00:51, контрольная работа
Технология «Изопланар-S» — это не какой-то единственный набор проектных норм, определяющий конкретный технологический процесс; скорее, она представляет собой непрерывно совершенствуемый технологический процесс, развитие которого будет происходить в 1980-е годы. Помимо уменьшения геометрических размеров элементов с нынешних 4 мкм до менее 1 мкм, эта технология предусматривает ряд других усовершенствований производственных процессов с помощью как новых методов диффузии и формирования металлизации, так и изменений в структуре приборов.
Биполярный транзистор. Принцип действия, назначение
04 Марта 2014 в 06:50, курсовая работа
Во время прохождения производственной практики в ООО «Спектр» автор познакомился с использованием презентации в современной практике проведения производственных семинаров, конференций, представлений новых продуктов и услуг.
Автор обратил внимание, что презентация применяться в ООО «Спектр» также в процессе стажировки и обучения работников.
Использование современных средств таких, как презентация, позволяет повысить качество обучения, снизить временные затраты на процесс обучения.
Поэтому автор решил взять тему своей письменной экзаменационной работы «Создание презентации «Биполярный транзистор. Принцип действия, назначение».
Устройство и принцип действия биполярного транзистора
04 Марта 2014 в 01:48, лекция
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, имеющий два электронно-дырочных перехода, образованных в одном монокристалле полупроводника. Эти переходы образуют в полупроводнике три области с различными типами электропроводности. Одна крайняя область называется эмиттером (Э), другая — коллектором (К), средняя — базой (Б). К каждой области припаивают металлические выводы для включения транзистора в электрическую цепь.
Электропроводность эмиттера и коллектора противоположна электропроводности базы. В зависимости от порядка чередования р- и n-областей различают транзисторы со структурой р-n-р и n-р-n. Условные графические обозначения транзисторов р-n-р и n-р-n отличаются лишь направлением стрелки у электрода, обозначающего эмиттер.
Элементы полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах
02 Декабря 2013 в 19:58, контрольная работа
Транзисторы типа n-p-n. Биполярный транзистор типа n-p-n является основным схемным элементом полупроводниковых ИМС. Он обладает лучшими характеристиками, чем транзистор типа p-n-p, а технология его изготовления более проста. Остальные элементы ИМС выбирают и конструируют таким образом, чтобы они совмещались со структурой транзистора типа n-p-n. Их изготовляют одновременно с транзистором типа n-p-n на основе какой-либо из его областей. Таким образом, выбор физической структуры транзистора типа n-p-n определяет основные электрические параметры остальных элементов микросхемы.
Расчет и моделирование усилительного каскада на биполярном транзисторе
17 Декабря 2012 в 19:02, курсовая работа
Цель работы:
Расчёт и компьютерное моделирование усилителя на примере усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером, получение навыков в выборе параметров, соответствующих максимальному использованию транзистора, а также приобретение навыков компьютерного моделирования электрических схем в пакете схемотехнического моделирования Micro-Cap.
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
14 Мая 2014 в 14:02, дипломная работа
Данная выпускная работа посвящена применению компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур, влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Данный метод исследования выбран по причине того, что он обеспечивает изучение широкого класса и большого количества типономиналов приборов. Он является безопасным (используются математические уравнения, описывающие работу различных полупроводниковых приборов) и оперативным методом их изучения и исследования. Разновидности исследованных структур включают как полную структуру прибора, так и отдельные элементы его структуры (барьерную ёмкость электронно-дырочного перехода, диффузионный резистор полупроводниковой интегральной микросхемы).
Разработка и изготовление лабораторного стенда для изучения выходных характеристик и параметров биполярных транзисторов
14 Января 2013 в 16:03, курсовая работа
Цель курсовой работы состоит в исследовании усилительного каскада на биполярном транзисторе, определение параметров эквивалетных схем биполярных и полевых транзисторов, в создании разностороннего предоставление о конкретных электронных элементах.