Изучение фазовых взаимодействий и процессов переноса в системе Bi2O3 – SiO2

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 14 Января 2013 в 08:16, отчет по практике

Краткое описание

Материалы на основе полуторного оксида висмута широко используются в современной технике. Полуторный оксид висмута известен как родоначальник большой серии неорганических веществ. С кристаллохимической точки зрения их можно разделить на два больших класса. К первому следует отнести сложные оксиды со структурами силленита и эвлитина. Данные структуры носят на себе отпечаток сложного электронного строения иона висмута. Это проявляется в том, что не поделенная электронная пара имеет определенную локализацию в пространстве кристалла и обуславливает весьма низкосиммет

Содержание

СОДЕРЖАНИЕ
Материалы на основе полуторного оксида висмута широко используются в современной технике 3
Глава1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 3
1.1.Фазовые взаимодействия в системах Bi2O3- GeO2, Bi2O3-SiO2 3
1.1.1.Фазовые диаграммы стабильных и метастабильных состояний в системах Bi2O3- GeO2, Bi2O3-SiO2 3
1.1.2. Свойства расплавов в системах Bi2O3 – SiO2 и Bi2O3 – GeO2 6
1.2 Структура и свойства фаз, кристаллизующихся в оксидных висмут содержащих системах 2
1.2.1 Структура силленита 2
1.2.2. Свойства Ge– и Si– силленитов 5
1.2.4.Структура и свойства Bi2O3 7
Глава2. МЕТОДИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 10
2.1 Методика приготовления образцов 10
2.2. Методы исследования фазовых взаимодействий 10
2.2.1.Дифференциально-термический анализ 10
2.2.2. Рентгеновский фазовый анализ 11
2.3.Термомассометрический метод исследования химической диффузии 11
2.3.1. Установка для термомассометрических исследований 11
2.3.2. Методика проведения эксперимента 13
2.3.3.Расчет коэффициента химической диффузии по данным изотермических термомассометрических измерений 14
2.3.4. Расчет величины энергии активации по результатом неизотермических термомассометрических измерений 14
2.3.5. Погрешности термомассометрических измерений 15
2.4. Определение электрофизических свойств 16
Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ 19
3.1. Изучение фазовых взаимодействий в системе Bi2O3 – SiO2 19
3.1.2. Исследования метастабильных образцов 22
3.2. Исследование процесса распада метастабильной фазы и химической диффузии кислорода методом термомассометрии 22
3.3. Исследование электропроводности метастабильных фаз в системе Bi2O3-SiO2 27
Приложение 1. 31
Приложение 2 . 35
ВЫВОДЫ 35
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 36

Вложенные файлы: 1 файл

дипломчик1.doc

— 8.62 Мб (Скачать файл)

ln(dq/dt/q) = ln(D0/K) - DHm/RT                                                                  (3.5.),

где q - средняя относительная концентрация диффузанта, DHm – энергия активации. В регулярной области уравнение (3.5.) принимает линейный вид, по углу наклона прямой определяется DHm.

По полученным экспериментальным  данным был рассчитан коэффициент  химической диффузии кислорода. Ď = 4,22´10-5см2/с. Из ранее полученных данных, следует, что коэффициент химической диффузии кислорода в Bi12SiO20 равен 5 ´ 10-7 см2/с. Исходя из этого, а также учитывая величину коэффициента химической диффузии, полученную нами, можно сделать вывод, что диффузия кислорода в исследуемых образцах протекает в объеме метастабильной фазы d*-Bi2O3. По неизотермическим данным (рис.3.7.) рассчитано значение энергии активации. DHm = 100 кДж/моль. Данное значение сравнимо со значениями энергии активации большинства ионных проводников. Такие высокие значения диффузионных параметров свидетельствует об очень высокой подвижности кислородных ионов, что является предпосылкой эффективного ионного переноса и, соответственно, хороших ионпроводящих свойств. С целью экспериментального подтверждения этой гипотезы проведены исследования электропроводности метастабильных фаз.

3.3. Исследование электропроводности метастабильных фаз в системе  Bi2O3-SiO2

Диффузионный транспорт, обусловленный  наличием в кристаллической решетке  дефектов, тесно связан еще с одним  явлением переноса – ионной проводимостью. Когда нестехиометрический ионный кристалл находится в поле градиента электрического потенциала, в нем возникает направленный поток ионов, приводящих к переносу электрического заряда.

В настоящей работе были проведены  исследования ионной проводимости метастабильных фаз, кристаллизующихся в системе Bi2O3-SiO2. Электрические измерения проводили на поликристаллических образцах в форме таблеток диаметром 9 –10 мм и толщиной  2 – 3мм. Удельную электрическую проводность вычисляли по формуле:

 s = l / RS                                                                                                       (3.6.),

где l – расстояние между измерительными зондами, S – сечение образца, R – сопротивление.

В табл. 3.1. и на рис.3.8. приведены  средние значения полученных экспериментальных  данных по электропроводности метастабильных образцов содержащих 22 и 28 мол.% , SiO2 первичные результаты приведены в таблице 1 приложения 1.

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 3.1.

Средние значения удельной электрической  проводимости метастабильных образцов. с составом 22 и 28 мол.%SiO2.

Т, К

R1´103, Oм

R2´103,Ом

s1 ´ 10-4, См/см

s2 ´ 10-4, См/см

523

40,262

117,348

0,67

0,22

548

19,14

41,48

1,41

0,63

573

6,082

14,754

4,44

1,78

598

3,738

6,926

7,23

3,80

623

1,504

3,562

17,97

7,39

648

1,082

1,812

24,98

14,52

673

0,62

1,048

43,59

25,11


* Примечание: R1,s1 – cсопротивление и удельная электрическая проводимость метастабильного образца с составом 22 мол.% SiO2, соответственно, R2s2 – cсопротивление и удельная электрическая проводимость метастабильного образца с составом 28 мол.% SiO2.

 

Электропроводность измерялась в диапазоне температур от 523К до 673К. Установлено, что в исследуемом интервале температур удельная электрическая проводимость изменялась от 6,7 ´ 10-5 до 4,4 ´ 10-3 См/см и от 2,2 ´ 10-5 до 2,5´10-3 См/см для образцов с составом 22 и 28 мол.% SiO2, соответственно. В условиях, блокирующих ионную проводимость (в среде аргона) определялась электронная составляющая электропроводности, по величине которой оценивалась ионная доля (число переноса кислородных ионов) по формуле:

ti = 1 - se/sS                                                                                                   (3.7.),

где ti – ионная доля, se – электронная составляющая электропроводности, sS - общая удельная электрическая проводимость. Ионная доля составила 0,98 – 0,99.

Рис.3.8. Зависимость удельной электрической  проводимости от температуры: 1, 2 –  метастабильные образцы с составом 22 и 28 мол.% SiO2, соответственно, 3 - d - Bi2O3 стабилизированный иттрием

 

На рис. и в табл.1. прил.1 приведены также экспериментальные денные и рассчитанные значения удельной электрической проводимости d - Bi2O3, стабилизированного иттрием. Известно, что d - Bi2O3 (Y) ионным проводником с рекордной величиной электропроводности. Сравнение электропроводности исследуемой нами метастабильной фазы и электропроводности d - Bi2O3 (Y) показывает, что по ион – проводящим свойствам метастабильная фаза со структурой флюорита, кристаллизующаяся в системе Bi2O3 – SiO2, не уступает d - Bi2O3 (Y).

Кроме того из приведенных данных (рис.3.8.,табл.3.1.) можно заключить, что увеличение содержания оксида кремния приводит к уменьшению удельной электрической проводимости исследуемых метастабильных фаз. Данную зависимость электропроводности от состава метастабильных фаз можно объяснить протеканием изоморфных замещений по следующей схеме:

2SiO2 + Vo·· ® 2Si·Bi + 4Oox                                                                         (3.8.)

Как видно, реакция, протекающая при  добавлении оксида кремния, приводит к  снижению концентрации кислородных вакансий, принимающих участие в ионном транспорте, и  следовательно ведет к ухудшению электропроводящих свойств.

Рис. 3.9. Зависимость ln(s) – 1/T: 1,2 – метастабильные образцы с составом 22 и 28 мол.% SiO2, соответственно, 3 - образец d - Bi2O3 (Y)

На рис.3.9. в полулогарифмических  координатах представлены зависимости  удельной электрической проводимости метастабильных фаз с составом 22 и 28 мол. % SiO2 и d - Bi2O3 (Y). Данные зависимости выражаются уравнением, подобным уравнению Арениуса:

s = s0 ´ exp( - DE/RT)                                                                                   (3.9.)

и имеют почти одинаковый наклон. По представленным данным в координатах  ln(s) – 1/T определена кажущаяся энергия активации электрической проводимости DE, которая составила 90 – 100 кДж/моль. Эта величина хорошо коррелирует с величиной DE, определенной по термомассометрический данным и соответствует энергии миграции.

Полученные данные представляют, на мой взгляд, блльшой практический интерес.

Известно, что d - Bi2O3, стабилизированный иттрием, ограниченно используется на практике, в связи с низкой устойчивостью в средах с низкими парциальными давлениями кислорода. С другой стороны добавление Si или Ge значительно повышают устойчивость висмутсодержащих фаз. Поэтому, изучаемая в моей работе, кристаллизующаяся в системе Bi2O3–SO2, метастабильная фаза и представляет интерес с практической точки зрения.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приложение 1.

Таблица 1.

 

Метастабильный образец содержанием SiO2 22 мол.% №1

Т, К

10-3/Т, 1/К

R´103,Ом

s ´ 10-4, См/см

- ln(s)

523

1,91

39,25

0,67

9,61

548

1,83

17,90

1,5

8,80

573

1,75

5,99

4,4

7,72

598

1,67

3,86

6,8

7,29

623

1,60

1,52

17,3

6,36

648

1,54

1,11

23,6

6,05

673

1,49

0,62

42,5

5,46

Метастабильный образец содержанием SiO2 22 мол.% №2

523

1,91

41,02

0,64

9,65

548

1,83

17,89

1,47

8,82

573

1,75

6,25

4,21

7,77

598

1,67

3,86

6,82

7,29

623

1,60

1,56

16,83

6,39

648

1,54

1,12

23,50

6,05

673

1,49

0,63

41,90

5,47

Метастабильный образец содержанием SiO2 22 мол.% №3

523

1,91

38,96

0,68

9,60

548

1,83

21,89

1,20

9,03

573

1,75

5,87

4,48

7,71

598

1,67

3,43

7,68

7,17

623

1,60

1,27

20,66

6,18

648

1,54

0,87

30,39

5,80

673

1,49

0,54

48,55

5,33


 

 

Метастабильный образец содержанием  SiO2 22 мол.% №4

Т, К

10-3/Т, 1/К

R´103,Ом

s ´ 10-4, См/см

- ln(s)

523

1,91

42,68

0,62

9,69

548

1,83

19,86

1,32

8,93

573

1,75

5,87

4,48

7,71

598

1,67

3,49

7,54

7,19

623

1,60

1,57

16,80

6,39

648

1,54

1,69

24,05

6,03

673

1,49

0,61

43,14

5,45

Метастабильный образец содержанием SiO2 22 мол.% №5

523

1,91

39,40

0,67

9,61

548

1,83

18,16

1,45

8,84

573

1,75

6,43

4,09

7,80

598

1,67

4,0

6,50

7,34

623

1,60

1,60

16,45

6,41

648

1,54

1,22

21,57

6,14

673

1,49

0,70

37,59

5,58


Таблица 2.

Метастабильный образец содержанием SiO2 28 мол.% №1

Т, К

10-3/Т, 1/К

R´103,Ом

s ´ 10-4, См/см

- ln(s)

523

1,91

116,35

0,23

10,68

548

1,83

40,99

0,64

9,66

573

1,75

14,44

1,87

8,58

598

1,67

6,92

3,90

7,85

623

1,60

3,32

8,14

7,11

648

1,54

1,74

15,53

6,47

673

1,49

0,91

29,70

5,82


 

Метастабильный образец содержанием  SiO2 28 мол.% №2

Т, К

10-3/Т, 1/К

R´103,Ом

s ´ 10-4, См/см

- ln(s)

523

1,91

118,53

0,23

10,69

548

1,83

42,87

0,63

9,67

573

1,75

115,16

1,79

8,63

598

1,67

7,21

3,96

7,89

623

1,60

3,58

6,86

7,19

648

1,54

1,91

14,93

6,56

673

1,49

1,08

24,35

5,99

Метастабильный образец содержанием  SiO2 28 мол.% №3

523

1,91

116,52

0,23

10,67

548

1,83

41,32

0,65

9,63

573

1,75

15,06

1,79

8,62

598

1,67

6,83

3,96

7,83

623

1,60

3,94

6,86

7,28

648

1,54

1,81

14,93

6,51

673

1,49

1,11

24,35

6,02

Метастабильный образец содержанием  SiO2 28 мол.% №4

523

1,91

120,12

0,22

10,70

548

1,83

43,06

0,63

9,68

573

1,75

15,43

1,75

8,65

598

1,67

7,81

3,46

7,97

623

1,60

4,06

6,67

7,31

648

1,54

2,14

12,63

6,67

673

1,49

1,21

22,34

6,10

Информация о работе Изучение фазовых взаимодействий и процессов переноса в системе Bi2O3 – SiO2