Выбор и обоснование схемы электрической принципиальной

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 23 Апреля 2013 в 15:31, курсовая работа

Краткое описание

Эволюция схем приёмников на транзисторах была весьма, сходной с эволюцией схем ламповых приёмников: разрабатывались схемы приёмников прямого усиления, супергетеродинные схемы. Современные транзисторные приёмники выполняются, как правило, по супергетеродинной схеме. Развитие полупроводниковой электроники привело к качественно новому направлению устройств приёма и обработки информации микроэлектронике. Успехи в развитии современной микроэлектроники позволяют в значительной степени улучшить основные параметры радиоприёмников. Замена целых функциональных узлов и блоков радиоприёмника интегральными микросхемами, замена конденсаторов переменной ёмкости варикапами и варикапными матрицами, применение сенсорных устройств вместо механических переключателей диапазонов позволяют по-новому решать вопросы конструирования радиоприёмных устройств.

Вложенные файлы: 1 файл

Готовая.docx

— 501.42 Кб (Скачать файл)

КE(min)=hд(min)*Qэmin*Pвх (63)

где Qэmin – добротность на минимальной частоте.

КE(min) =1,93*10 *34,5*0,03 = 0,013

Полученное  значение меньше заданного (0,02), поэтому  увеличиваем минимальную действующую  высоту антенны. Возьмём hд(min)=0,04 м, тогда

К’E(min) =0,04*34,5*0,17=0,024,

что больше заданного.

и) Находим  напряжение на входе первого транзистора

 Uвх=Еа* К’E(min) (64)


Uвх=2*10 * 0,024 = 46,92 мкВ

 

 

 

 

 

 

4.2 Расчёт  преобразователя частоты

 


Рисунок 8. – Схема преобразователя частоты.

4.2.1 Расчёт  элементов контура гетеродина.

а) Определяем максимальную емкость контура гетеродина

Cmax = Cк max + Ccx (65)

где Cк max – максимальная емкость блока переменного конденсатора, пФ

Ccx – емкость схемы, пФ

Cmax = 365 + 57,6 = 422,6 пФ

б) Находим вспомогательный коэффициент

 (66)

Где

в) Рассчитываем индуктивность контура гетеродина

L3 =α*L (67)

где L- индуктивность контура входной цепи, мкГ

Значение  коэффициента α находим по графику:

Рисунок 9. – График для определения индуктивности контура гетеродина

Принимаем а ≈0,7

L3 =0,7*22=15,4 мкГ

г) Определяем ёмкость последовательно С4 и параллельного С5 конденсаторов по графикам:

 

 

Рисунок 10. – График для определения ёмкости Рисунок 11. – График для определения ёмкости последовательного сопрягающего конденсатора. параллельного сопрягающего конденсатора.

С4 ≈ 650 пФ Выбираем С4: КМ-3-Н30-680 пФ ± 10%

С5 ≈ 9 пФ Выбираем С5: КМ-3-Н30-9,1 пФ ± 5%

4.2.2 Расчет  смесительной части преобразователя  частоты

В качестве нагрузки преобразователя использован  пьезоэлектрический фильтр ПФ1П – 2 с параметрами: Rвх=1,2 кОм; Rвых=0,6 кОм; Sепр=36 дБ

а) Определяем коэффициенты включения контура  к транзисторам p1и p2. Выбираем полное включение контура со стороны коллектора (p1 =1), тогда коэффициент включения со стороны базы:

 (68)

= 0,23

б) Находим  эквивалентное сопротивления контура  Rэ из условия, чтобы расчетное усиление преобразователя Kпр =(h /(h +1))* Sпр*Rэ*p1*p2 было не менее заданного усиления Kпрз.

 (69)

где h - параметр связи. Задаёмся h=1,1 (связь близкая к критической).

 кОм

в) Определяем добротность контура

 (70)

г) Определяем характеристическое сопротивление  контура

 (71)

д) Вычисляем элементы контура

 (72)

 

Выбираем

С10: КМ-3-Н30-1100 пФ ± 10%

 (73)

Рассчитываем  шунтирующий резистор

 (74)

где Rвых пр – выходное сопротивление преобразователя, кОм

 (75)

 кОм

 кОм

Выбираем

: С2-23-0,125-1,2 кОм ± 10% -В

4.2.3 Расчёт  элементов цепи стабилизации  рабочей точки

а) Вычисляем  сопротивления в цепях эмиттеров  R3 и R4

 (76)

где - падение напряжения на сопротивлении R3, В

- коллекторный ток транзистора,  мА.

=(0,15…0,2)Еп (77)

где Еп – напряжение источника питания, В. В данном курсовом проекте Еп =6В

=0,2 * 6 = 1,2 В

 

Выбираем

: С2-23-0,125-1,2 кОм ± 10% -В

б) Определяем ток в цепи делителя смещения

Iд=(3…10)Iбо (78)

где Iбо – ток базы транзистора в точке покоя

 (79)

Iд=7 * 14,2 = 0,1 мА

в) Определяем сопротивления резисторов делителей  R1,R2 и R8,R7

 (80)

PR1=(Iд+Iбо) *R1 (81)

PR1=(0,1*10 +0,0142*10 ) *39*10 =0,52 мВт

Выбираем

: С2-23-0,125-39 кОм ± 10% -В

 (82)

 

PR1=Iд *R2 (83)

PR1=(0,1*10 )*15*10 =0,14 мВт

Выбираем

: С2-23-0,125-15 кОм ± 10% -В

 

 

 

 

 

 

 

 

Список  литературы:

1. В.Ф.Баркан, В.К.Жданов, "Радиоприёмные устройства",

издательство "Советское радио", Москва 1978 г.

2. И.Ф.Белов, Е.В.Дрызго, Ю.И.Суханов "Справочник по бытовой приёмно- усилительной радиоаппаратуре".

3. Под редакцией Б.Л.Перельшина,"Справочник: транзисторы широкого применения", издательство "Радио и связь", Москва 1981 г.

 

 

 



Информация о работе Выбор и обоснование схемы электрической принципиальной