Транзисторы на горячих электронах

Мощным толчком развития электроники на основе GaAs и родственных соединений явилось создание в 1967 г. в ФТИ им.А.Ф. Иоффе под руководством Ж.И.Алферова эффективно инжектирующих гетеропереходов в системе GaAs,AlGaAs, близких по своим свойствам к идеальным. Создание идеальных гетеропереходов в системе GaAs,AlGaAs позволило не только изучить специфические особенности электрических и оптических явлений в гетероструктурах, но и способствовало появлению новых идей по применению гетероструктур в полупроводниковых приборах, поиску других материалов, образующих идеальные гетеропереходы, а также разработке новых методов получения гетероструктур

Введение 3
1. Горячие носители заряда в гетероструктурах с селективным легированием 4
2. Транзисторы с инжекцией горячих электронов 4
3. Транзисторы на горячих электронах
8
4. Горячие электроны в резистивном состоянии тонких пленок сверхпроводников 11
Заключение 16
Список использованных источников 17