Жартылай өткізгішті аспаптардың сипаттамаларын зерттеуге арналған зертханалық аспапты жобалау

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 27 Ноября 2013 в 13:26, дипломная работа

Краткое описание

В дипломном проекте рассмотрен электрофизические процессы протекающие в полупроводниковых и оптоэлектронных приборах. Разработан макет для исследования биполярного транзистора и фотодиода. Было произведено расчет биполярного транзистора. В соответствующих главах произведены технико-экономические расчеты и рассмотрены безопасность жизнедеятельности.

Содержание

КІРІСПЕ
1 НЕГІЗГІ БӨЛІМ
1.1 Жартылай өткізгіштегі электрөткізгіштегі процесстер
1.1.1Ығысу тоғы
1.2 Транзистордағы ағымды процесстері мен транзистордың тоғы
1.2.1 Транзистордың жұмыс істеу режимі
1.2.2 Транзистордың статикалық сипаттамасы
1.3 Транзисторлардың күшейту қасиеті
1.4 Фотодиодты зерттеу
1.5 Оптоэлектроникаға кіріспе
1.5.1 Фотодиодты зерттеу
2 ТРАНЗИСТОРЛАРДЫ ЗЕРТТЕГІШТЕР
2.1 Транзисторларды қарапайым тексергіштер
2.2 Транзисторлар мен диодтарды сынағыш
2.3 Транзисторларды зерттегіш
2.4 Транзисторларды тексеруге арналған аспап
2.5 Аз қуатты транзисторларды зерттеу
3 ЕСЕПТЕУ БӨЛІМІ
3.1 Транзистордың параметрларын есептеу
4 ЭКОНОМИКАЛЫҚ БӨЛІМ
4.1 Экономика есептері
4.2Транзисторды тексеруге арналған қондырғыны жобалау шығындарды есептеу
4.3 Экономикалық тиімділікті есептеу
5 ҚАУІПСІЗДІК ЖӘНЕ ЕҢБЕК ҚОРҒАУ
5.1 Төмен вольтті жабдықтар қауіпсіздігіне қойылатын талаптар
5.2 Терминдер мен айқындамалар
5.3 Қауіпсіздіктің негізгі талаптары
ҚОРЫТЫНДЫ
ҚОЛДАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
ҚОСЫМШАЛАР