Транзистор КТ602А
Курсовая работа, 22 Апреля 2014
В данной работе проанализированы два транзистора разных типов: биполярный КТ602А,.В теоретической части раскрыты принцип и строение транзисторов, их основныепараметры и особенности. В расчетной на основе заданных вольт-амперных характеристик (ВАХ) и параметров проведен анализ эквивалентных схем, исследование малосигнальных параметров и частотных свойств
Биполярный транзистор
Курсовая работа, 26 Ноября 2013
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости.
При решении многих инженерных задач, например при измерении электрических и неэлектрических величин, приеме радио сигналов, контроле и автоматизации технологических процессов, возникает необходимость в усилении электрических сигналов. Для этой цели служат усилители.
Биполярлық транзистор
Реферат, 02 Ноября 2013
Тиристор (тринистор) деп екі негізгі және бір басқарушы шықпасы бар екі орныққан күйде болатын шала өткізгішті кремнийден жасалған басқарылмалы құралды айтамыз. Әдетте, тиристор төрт р-п-р-п қабаттан тұрады. Бұл қабаттардың арасында үш р-п өтпесі бар.
Биполярные транзисторы
Реферат, 14 Июня 2013
Биполярный транзистор — трёхэлектродный электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзистор называется биполярный, поскольку в работе прибора одновременно участвуют два типа носителей заряда – электроны и дырки (от слова «би» — «два»). Этим он отличается от униполярного (полевого) транзистора, в работе которого участвует только один тип носителей заряда. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По способу чередования дырочной и электронной проводимости различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный).
Обзор биполярных транзисторов
Контрольная работа, 17 Января 2014
Технология «Изопланар-S» — это не какой-то единственный набор проектных норм, определяющий конкретный технологический процесс; скорее, она представляет собой непрерывно совершенствуемый технологический процесс, развитие которого будет происходить в 1980-е годы. Помимо уменьшения геометрических размеров элементов с нынешних 4 мкм до менее 1 мкм, эта технология предусматривает ряд других усовершенствований производственных процессов с помощью как новых методов диффузии и формирования металлизации, так и изменений в структуре приборов.
Полевые транзисторы и тиристоры
Доклад, 26 Мая 2013
Полевым транзистором называют электропреобразовательный прибор, в котором ток канала управляется электрическим полем, возникающим с приложением напряжения между затвором и истоком, и который предназначен для усиления мощности электромагнитных колебаний.
Каналом называют центральную область транзистора. Электрод, из которого в канал входят основные носители заряда, называют истоком, а электрод, через который основные носители уходят из канала — стоком. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, называют затвором.
Транзисторы на горячих электронах
Реферат, 30 Октября 2014
Мощным толчком развития электроники на основе GaAs и родственных соединений явилось создание в 1967 г. в ФТИ им.А.Ф. Иоффе под руководством Ж.И.Алферова эффективно инжектирующих гетеропереходов в системе GaAs,AlGaAs, близких по своим свойствам к идеальным. Создание идеальных гетеропереходов в системе GaAs,AlGaAs позволило не только изучить специфические особенности электрических и оптических явлений в гетероструктурах, но и способствовало появлению новых идей по применению гетероструктур в полупроводниковых приборах, поиску других материалов, образующих идеальные гетеропереходы, а также разработке новых методов получения гетероструктур
Транзисторы. Определение и история
Реферат, 28 Ноября 2014
Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом.
Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике. Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, микросхема все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.
Генератор на транзисторе. Автоколебания
Реферат, 10 Мая 2013
Вынужденные колебания, которые мы рассматривали до сих пор, возникают под действием переменного напряжения, вырабатываемого генераторами на электростанциях. Такие генераторы не могут создавать колебания высокой частоты, необходимые для радиосвязи.
Расчет и подбор транзистора для усилителя
Лабораторная работа, 11 Марта 2014
Определяем напряжение источника питания.
На входных характеристиках справа и влево от точки А откладывается амплитудное значение выходного напряжения и определяем амплитудные значения базовых токов и соответствующие амплитудным значениям выходного напряжения.
Переносим эти значения базовых токов на входные характеристики и определяем амплитудное значение напряжения базы.
Курсовая работа на тему исследование транзистора
Курсовая работа, 18 Июня 2014
Выбор структурной схемы усилителя. Расчет оконечного каскада, элементов схемы по постоянному току, глубины общей ООС.
Классификация и основные особенности транзисторов
Курсовая работа, 06 Декабря 2013
В ходе выполнения курсовой работы были рассчитаны параметры и характеристики диода, изображена прямая ВАХ диода, на которой показана зависимость тока диода от напряжения диода. Рассчитан максимальный прямой ток диода I пр max=14 А. Представлена обратная ветвь ВАХ- обратный ток слабо зависит от обратного напряжения, рабочее обратное напряжение Uобр=98,5 В.
Биполярный транзистор. Принцип действия, назначение
Курсовая работа, 04 Марта 2014
Во время прохождения производственной практики в ООО «Спектр» автор познакомился с использованием презентации в современной практике проведения производственных семинаров, конференций, представлений новых продуктов и услуг.
Автор обратил внимание, что презентация применяться в ООО «Спектр» также в процессе стажировки и обучения работников.
Использование современных средств таких, как презентация, позволяет повысить качество обучения, снизить временные затраты на процесс обучения.
Поэтому автор решил взять тему своей письменной экзаменационной работы «Создание презентации «Биполярный транзистор. Принцип действия, назначение».
Устройство и принцип действия биполярного транзистора
Лекция, 04 Марта 2014
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, имеющий два электронно-дырочных перехода, образованных в одном монокристалле полупроводника. Эти переходы образуют в полупроводнике три области с различными типами электропроводности. Одна крайняя область называется эмиттером (Э), другая — коллектором (К), средняя — базой (Б). К каждой области припаивают металлические выводы для включения транзистора в электрическую цепь.
Электропроводность эмиттера и коллектора противоположна электропроводности базы. В зависимости от порядка чередования р- и n-областей различают транзисторы со структурой р-n-р и n-р-n. Условные графические обозначения транзисторов р-n-р и n-р-n отличаются лишь направлением стрелки у электрода, обозначающего эмиттер.
Элементы полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах
Контрольная работа, 02 Декабря 2013
Транзисторы типа n-p-n. Биполярный транзистор типа n-p-n является основным схемным элементом полупроводниковых ИМС. Он обладает лучшими характеристиками, чем транзистор типа p-n-p, а технология его изготовления более проста. Остальные элементы ИМС выбирают и конструируют таким образом, чтобы они совмещались со структурой транзистора типа n-p-n. Их изготовляют одновременно с транзистором типа n-p-n на основе какой-либо из его областей. Таким образом, выбор физической структуры транзистора типа n-p-n определяет основные электрические параметры остальных элементов микросхемы.
Усилители электрических сигналов на основе полевых транзисторов
Реферат, 06 Ноября 2012
В современной технике широко используется принцип управления энергией, позволяющий при помощи затраты небольшого количества энергии управлять энергией, но во много раз большей. Форма как управляемой, так и управляющей энергии может быть любой: механической, электрической, световой, тепловой и т.д.
Частный случай управления энергией, при котором процесс управления является плавным и однозначным и управляемая мощность превышает управляющую, носит название усиления мощности или просто усиления; устройство, осуществляющее такое управление, называют усилителем.
Расчет и моделирование усилительного каскада на биполярном транзисторе
Курсовая работа, 17 Декабря 2012
Цель работы:
Расчёт и компьютерное моделирование усилителя на примере усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером, получение навыков в выборе параметров, соответствующих максимальному использованию транзистора, а также приобретение навыков компьютерного моделирования электрических схем в пакете схемотехнического моделирования Micro-Cap.
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
Дипломная работа, 14 Мая 2014
Данная выпускная работа посвящена применению компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур, влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Данный метод исследования выбран по причине того, что он обеспечивает изучение широкого класса и большого количества типономиналов приборов. Он является безопасным (используются математические уравнения, описывающие работу различных полупроводниковых приборов) и оперативным методом их изучения и исследования. Разновидности исследованных структур включают как полную структуру прибора, так и отдельные элементы его структуры (барьерную ёмкость электронно-дырочного перехода, диффузионный резистор полупроводниковой интегральной микросхемы).
Расчет бестрансформаторного двухтактного оконечного каскада на составных транзисторах
Контрольная работа, 27 Ноября 2011
В процессе расчета необходимо:
- Выбрать исходный режим работы транзисторов по выходной цепи, то есть определить параметры , η;
- Определить режим работы транзисторов на входной цепи, рассчитав параметры;
- Рассчитать коэффициенты усиления по напряжению и мощности, а также КПД оконечного каскада;
- Рассчитать емкость и сопротивление в цепи положительной обратной связи;
- Определить необходимое количество диодов в цепи смещения базы транзисторов VT1-VT3.
Разработка и изготовление лабораторного стенда для изучения выходных характеристик и параметров биполярных транзисторов
Курсовая работа, 14 Января 2013
Цель курсовой работы состоит в исследовании усилительного каскада на биполярном транзисторе, определение параметров эквивалетных схем биполярных и полевых транзисторов, в создании разностороннего предоставление о конкретных электронных элементах.