Полупроводники
Реферат, 24 Февраля 2014
Полупроводники — материалы, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Основным свойством этих материалов является увеличение электрической проводимости с ростом температуры.
Алмазаповодные полупроводники
Курсовая работа, 01 Февраля 2015
Изучить получение, физические и химические свойства, области применения, строение и классификацию полупроводниковых материалов и алмазоподобных полупроводников.
Электрические свойства полупроводников
Курсовая работа, 27 Октября 2014
Полупроводники занимают промежуточное положение по электропроводности (или по удельному сопротивлению) между проводниками и диэлектриками. Однако это деление всех веществ по их свойству электропроводности является условным, так как под действием ряда причин (примеси, облучение, нагревание) электропроводность и удельное сопротивление у многих веществ весьма значительно изменяются, особенно у полупроводников.
Фотоэлектрические явления в полупроводниках
Курсовая работа, 15 Мая 2013
Все вещества в природе по электрофизическим свойствам могут быть разделены на три больших класса: металлы, полупроводники и диэлектрики. Полупроводники – это такие вещества, которые при комнатной температуре имеют удельную проводимость в интервале от 10-10 до 104 См (Ом-1 – см-1), зависящую в сильной степени от структуры вещества, вида и количества примеси и от внешних условий: температуры, давления, освещения, облучения ядерными частицами, электрического и магнитного полей [1].
Рассмотрим механизм электропроводности полупроводниковых веществ на примере элементарных полупроводников. Кремний и германий находятся в одной подгруппе периодической системы Менделеева с углеродом.
Термоэлектрические явления в полупроводниках
Реферат, 16 Марта 2014
Целью данного реферата является ознакомление с термоэлектрическими явлениями, возникающими при определенных условиях в полупроводниках, рассмотрение их практического применения и знакомство с “праотцами” термоэлектричества.
По мере своего развития, человечеству для комфортной жизни нужны всё более и более совершенные технологии. Причем эти технологии связаны друг с другом. Так, скачок в одной сфере промышленной деятельности влечёт за собой некоторые проблемы, которые могут быть решены лишь при усовершенствовании другой сферы и так далее.
Связной передатчик коммерческой связи на полупроводниках
Курсовая работа, 11 Июня 2013
В связи с всеобщей тенденцией глобализации возросла необходимость в средствах связи различной степени сложности и различного назначения. Немаловажную часть средств связи занимают средства коммерческой связи. Это объясняется преимущественным преобладанием в большинстве стран капиталистического типа экономики. Основную долю всех средств связи составляют мобильные средства связи (мобильные телефоны, автомобильные радиостанции, любительские трансиверы и радиостанции и т.д.). В основном, диапазон частот, занимаемых коммерческими средствами связи, составляет 20Мгц – 1ГГц. В основном выходная мощность связных передатчиком коммерческой связи не превышает 100Вт.
Какая разница между понятиями «загрязнение» и «примеси» в полупроводниках
Реферат, 25 Февраля 2013
Полупроводники – вещества, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и др.), огромное количество сплавов и химических соединений. Почти все неорганические вещества окружающего нас мира – полупроводники. Самым распространенным в природе полупроводником является кремний, составляющий около 30 % земной коры.
Электрические свойства кристаллов с точки зрения квантовой механики. Проводники, полупроводники и изоляторы
Реферат, 14 Мая 2013
Природные кристаллы всегда возбуждали любопытство у людей. Их цвет, блеск и форма затрагивали человеческое чувство прекрасного, и люди украшали ими себя и жилище. С давних пор с кристаллами были связаны суеверия; как амулеты, они должны были не только ограждать своих владельцев от злых духов, но и наделять их сверхъестественными способностями. Позднее, когда те же самые минералы стали разрезать и полировать, как драгоценные камни, многие суеверия сохранились в талисманах «на счастье» и «своих камнях», соответствующих месяцу рождения. Все драгоценные природные камни, кроме опала, являются кристаллическими, и многие из них, такие, как алмаз, рубин, сапфир и изумруд, попадаются в виде прекрасно ограненных кристаллов. Украшения из кристаллов сейчас столь же популярны, как и во время неолита.
Моделирование процессов дефектообразования и профилей внедренной примеси в металлах и полупроводниках, облученных быстрыми ионами
Курсовая работа, 16 Мая 2014
Цель диссертационной работы – создание физической модели и моделирование на ЭВМ каскадных областей, распределений внедренных примесей по глубине и формирования нанокластеров в металлах и
полупроводниках, облученных быстрыми ионами.
В соответствии с поставленной целью в работе решались следующие задачи:
– создать физическую и математическую модели генерации радиационных дефектов в металлах и полупроводниках, облученных быстрыми ионами с учетом полных потерь энергии непосредственно в процессе генерации ПВА;
смоделировать на ЭВМ энергетические спектры ПВА и концентрационные
профили ВК по глубине в металлах (Al, Ti, Fe, Cu, Ag, Au) и полупроводниках
(Si, Ge), облученных быстрыми ионами;
– описать процессы генерации радиационных дефектов при ионном облучении с помощью цепей Маркова, при этом выражения для спектров ПВА, и КВФ вывести из уравнений Колмогорова-Чепмена;
– рассчитать профили распределения ВК по глубине в металлах и полупроводниках, облученных быстрыми ионами;
– смоделировать на ЭВМ и рассчитать профили распределения внедренных примесей в полупроводниках при облучении их быстрыми ионами;
– экспериментально выявить особенности перераспределения внедренных примесей по глубине кристалла в зависимости от условий имплантации (температура кристалла), термообработки (как на профили концентрации внедренной примеси, так и на структурные характеристики облучаемого материала и формируемых нанокластеров внедренных атомов).