Диод Шоттки
Курсовая работа, 21 Мая 2012
Диод Шоттки (также правильно Шотки, сокращённо ДШ) – с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт.
Полупроводниковые диоды
Реферат, 12 Мая 2013
Полупроводниковые приборы начали развиваться бурными темпами. Транзистор был изобретен в 1948 г. в США. В 1955 г. в мире выпускалось 350 типов транзисторов, а в 1963 г. - уже 3000 типов. В 1956 г. только в США изготовлялось 14 млн. транзисторов в год, а в 1961 г. в Японии - 200 млн. транзисторов в год.
В нашей стране огромный вклад в развитие теории полупроводниковых приборов внесла школа академика А.Ф. Иоффе.
Полупроводниковые приборы не требуют подогрева, потребляют очень мало энергии, имеют малые габариты и вес.
В данном реферате рассматриваются диоды – одни из наиболее простых полупроводниковых приборов. Приводятся примерная классификация и их основные технические характеристики.
Полупроводниковые диоды
Реферат, 09 Января 2013
Электроника - это область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов и принципов их использования.
Микроэлектроника - это раздел электроники, охватывающий исследование и разработку качественно нового типа электронных приборов - интегральных микросхем - и принципов их применения.
Развитие электроники
Германиевые и кремниевые диоды
Доклад, 30 Сентября 2015
Полупроводниковым диодом или полупроводниковым вентилем называется прибор, предназначенный для преобразования одних электрических величин в другие электрические величины, имеющий электроннодырочный -переход. Диод имеет два внешних вывода.
Пробой полупроводникових диодов
Дипломная работа, 31 Мая 2013
Обратное напряжение, приложенное к диоду, падает на выпрямляющем электрическом переходе (p-n переход) диода. При больших обратных напряжениях происходит пробой p-n перехода. Пробой диода – это явление резкого уменьшения дифференциального сопротивления p-n перехода, сопровождающееся резким увеличением обратного тока, при достижении обратным напряжением критического для данного прибора значения.
Таким образом, можно прийти к выводу,что идеальность ВАХ диодов Шоттки связано со степенью однородности границы раздела контакта. Чем более однородна граница раздела контакта,тем более идеальными будут свойства контакта.
Туннельный эффект, туннельный диод
Реферат, 26 Апреля 2013
Плоскостная модель кристаллической решётки германия дана на рис. 1а. Атомы расположены на таких расстояниях друг от друга, что их внешние (валентные) электронные оболочки взаимно проникают друг в друга. Атом германия имеет четыре электрона на внешней оболочке, и при взаимодействии внешних электронных оболочек атомов кристалла у соседних атомов появляются общие электроны. Это соответствует как бы дополнению внешних электронных оболочек атомов до восьми электронов (согласно принципу Паули, на одной орбите может находиться не более двух электронов с противоположными спинами). Такая связь атомов с помощью общих орбит двух электронов называется ковалентной. Наличие на внешней оболочке каждого атома восьми электронов соответствует их устойчивому состоянию, подобных состоянию внутренних электронных оболочек атома.
Отличие фотодиода, светодиода и варикапа от выпрямительного диода
Контрольная работа, 11 Июня 2014
Основой полупроводникового диода является р-n-переход, определяющий его свойства, характеристики и параметры. В зависимости от конструктивных особенностей р-n-перехода и диода в целом полупроводниковые диоды изготовляются как в дискретном, так и в интегральном исполнении. По своему назначению полупроводниковые диоды подразделяются на выпрямительные (как разновидность выпрямительных – силовые), импульсные, высокочастотные и сверхвысокочастотные, стабилитроны, трехслойные переключающие, туннельные, варикапы, фото- и светодиоды. Условные графические обозначения диодов показаны на рис. 1.
Полупроводниковые диоды и их применение в схемах выпрямительных устройств
Реферат, 29 Ноября 2013
Задание:
Провести анализ исходных данных.
Выбрать принципиальную схему выпрямителя.
Выбрать выпрямительные диоды.
Выбрать сглаживающий фильтр.
Рассчитать параметры питающего трансформатора.
Построить временные диаграммы.
Полупроводниковые диоды и их применение в схемах выпрямительных устройств
Практическая работа, 30 Октября 2013
Процесс выполнения задания:
Анализ исходных данных и выбор принципиальной схемы выпрямителя.
Выбор диода.
Расчёт параметров сглаживающего фильтра.
Расчёт параметров трансформатора.
Моделирование диаграмм в EWB.