Технические параметры линий задержки на ПАВ

 

Схема спиральной линии задержки на ПАВ.

 

Рис. 6

 

Задержка таких линий задержки достигает 2000мкс на частотах 50 - 60 МГц. В дисковых линиях задержки на ПАВ (рис. 7) увеличение акустического пути достигается многократной циркуляцией пучка вокруг замкнутой поверхности тонкого диска из монокристалла пьезоэлектрика.

Схема  дисковой линии задержки на ПАВ.

 

 

Рис. 7

 

3. Расчетная часть

 

Исходные данные:

Возьмем материал LiTaO3.

- скорость распространения волны  в LiTaO3 v = 3290 м/с

- t – время задержки ЛЗ на ПАВ, t = 20 мкс

- - частота подаваемого на линию задержки сигнала 7 МГц.

Время задержки между входным и выходным электрическими сигналами определяется по формуле:

 

,

 

где l - среднее расстояние между системами ВШП,

v - скорость распространения поверхностно-акустической волны.

Вычислим расстояние между ВШП:

 

l = t*v;

 

l = 3290*0.00002 = 0,0658 м

l = 65.8 мм

Рассчитаем шаг ВШП , определяемой следующим соотношением:

 

,  где h - шаг ВШП

 

h = v/ = 3290/7000000 = 0,00047 м = 0.47 мм

 

Заключение

 

Всякое акустоэлектронное устройство состоит из простейших элементов - электроакустических преобразователей и звукопроводов. Кроме того, применяются отражатели, резонаторы, многополосковые электродные структуры, акустические волноводы, концентраторы энергии и фокусирующие устройства, а также активные, нелинейные и управляющие элементы. Для возбуждения и приема объемных волн в акустоэлектронике используются пьезоэлектрические преобразователи: пьезоэлектрические пластинки (на частотах до 100 МГц), пьезополупроводниковые преобразователи с запирающим или диффузионным слоем (в диапазоне частот 50-300 МГц), пленочные преобразователи (на частотах выше 100 МГц). Гиперзвуковые волны часто возбуждаются с поверхности пьезоэлектрического звукопровода, торец которого для этих целей помещают в зазор СВЧ-резонатора или замедляющую СВЧ-систему. Для возбуждения и приема ПАВ используются главным образом встречно-штыревые преобразователи, представляющие собой периодическую структуру металлических электродов, нанесенных на пьезоэлектрический кристалл. На основе перечисленных элементов создаются различные акустоэлектронные устройства.

 

Литература

 

1. Щука А.А. Функциональная электроника: Учебник для вузов: - М.: МИРЭА, 1998.

2. Викторов И. А. «Звуковые поверхностные волны в твердых телах», М., 1991.

3. «Поверхностные акустические волны». Под редакцией А.Олинера, Москва : Мир 1981.

4. Рычина, Т.А. Устройства функциональной  электроники и электрорадиоэлементы / Т.А. РЫЧИНА, А.В. ЗЕЛЕНСКИЙ. – М. : РАДИО  И СВЯЗЬ, 1989. – 352 С.

5. Свитенко, В.Н. Электрорадиоэлементы: курсовое проектирование : учебное пособие для вузов / В.Н. Свитенко. – М. : Высшая школа, 1987. – 207с.