Контрольная работа по дисциплине : «Электротехнические комплексы, системы и сети»

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 14 Февраля 2013 в 21:25, курсовая работа

Краткое описание

1. Структурная схема ЭТКС УЭЦН. 2. Схема замещения кабельной линии с распределенными параметрами. 3. Функциональная электрическая схема преобразователя частоты (ПЧ). 4. Таблица алгоритма переключения IGBT транзисторов, схемы замещения состояний автономного инвертора на интервалах 0…360 эл. Град. 5. Графики (временные диаграммы) работы ШИМ. 6. Временные диаграммы выходных трехфазных ступенчатых напряжений ПЧ. 7. Схему электроснабжения скважины.

Вложенные файлы: 1 файл

Документ Microsoft Word (3).docx

— 3.06 Мб (Скачать файл)

Недостатки  ПЧ с АИН:

  • нереверсивность при выполнении по основной схеме;
  • большая скорость изменения напряжения на обмотке двигателя.

 

      1. Расчет инвертора

Выбор транзисторов IGBT ключей.

Максимальный  ток через транзистор:

                                                                   (2.41)

где К1 = (1,2 ÷ 1,5) – рекомендуемый коэффициент допустимой кратковре-менной перегрузки по току;

К2 = (1,1 ÷ 1,2) – коэффициент пульсации тока;

η – КПД  ПЭД с учетом КЛ:

                               ;                      (2.42)

ηтр – КПД трансформатора:

cosφУЭЦН – коэффициент мощности установки УЭЦН с КЛ:

                                                (2.43)

 

 

 

 

SΣ – полная мощность на входе КЛ;

Выпрямленное  среднее напряжение:

                           (2.44)

где Ксн – схемный коэффициент неуправляемого выпрямителя.

 

Тип транзистора  выбираем по справочнику с посто-янным током IC ≥ IC.max и постоянным напряжением UСЭ ≥ Ud. Выбираем модуль (полумост) IGBT фирмы Mitsubishi треть-его поколения CM300DY-12H с параметрами приведенными в табл. 4.

 

 

 

Таблица №4

Тип прибора

Предельные 

параметры

Электрические характеристики

UCES, B

IC,

A

PC,

Вт

UCE(sat), B

Сies, нФ

Сoes, нФ

Сres, нФ

td(on), нс

типовое

макси-мальное

CM400DY-12H

600

400

1500

2,1

2,8

40

14

8

350


Таблица №4 (продолжение)

Электрические характеристики

Обратный диод

Тепловые и механические параметры

tr,

нс

td(off),

нс

tf,

нс

Uf,

B

trr,

нс

Rch(c-f),

ºC/Вт

IGBT

Диод

Масса, г

Rch(j-c), ºC/Вт

600

350

300

2,8

110

0,09

0,085

0,18

400


UCES – максимальное напряжение коллектор – эмиттер;

IС – максимальный ток коллектора;

РС – максимальная рассеиваемая мощность;

UCE(sat) – напряжение коллектор – эмиттер во включенном состоянии;

Сies – входная емкость;

Сoes – выходная емкость;

Сres – емкость обратной связи (проходная);

td(on) – время задержки включения;

tr – время нарастания;

td(off) – время задержки выключения;

tf – время спада;

Uf – прямое падение напряжения на обратном диоде транзистора;

trr – время восстановления обратного диода при выключении;

Rth(c-f) – тепловое сопротивление корпус – охладитель;

Rth(f-с) – тепловое сопротивление переход – корпус.

 

 

 

Пригодность транзистора проверяем с помощью  теплового расчета

Потери IGBT в проводящем состоянии:

                         (2.45)

где IСР – амплитуда тока на входе инвертора

                               (2.46)

UСЕ(sat) – падение напряжения на включенном IGBT;

D – отношение ;

cosΘ ≈ cosφУЭЦН.

Потери IGBT при коммутации:

                     (2.47)

где tc(on) – время включения IGBT ключа:

             (2.48)

tc(off) – время выключения IGBT ключа:

            (2.49)

UCC = Ud;

fSW – частота коммутации IGBT ключей (частота ШИМ), обычно выби-рается в диапазоне от 5000 до 15000 Гц. Принимаем частоту fSW на минимальной, т.е. 5000 Гц для уменьшения коммутационных потерь мощности в IGBT.

Суммарные потери в модуле IGBT:

                         (2.50)

Потери мощности в диоде.

Потери в  проводящем состоянии (2.51):

где IEP – амплитуда тока через диод ≈ IСР;

UЕС – падение напряжения на диоде ≈ Uf.

Потери при  запирании диода (2.52):

где IRR – амплитуда обратного тока ≈ ICP;

tRR – длительность обратного тока ≈ trr.

 

 

 

Суммарные потери диода:

                    (2.53)

Результирующие  потери в паре IGBT – диод:

                     (2.54)

Найденные результирующие потери являются основой  для теплового расчета инвертора, в ходе которого определяется тип  и геометрические раз-меры охладителя, а так же проверяется тепловой режим работы кристаллов IGBT и обратного диода.

 

      1. Расчет охладителя

Тепловое  сопротивление структуры охладитель – окружающая среда:

        (2.55)

где Rth(f-a) – тепловое сопротивление, используемое по аналогии с понятием электрическое сопротивление для проведения тепловых расчетов;

ТС = 90 ÷ 110 ºС – рекомендуемая температура охлаждающей пластины;

ТА = 45 ÷ 50 ºС – температура воздуха внутри корпуса ПЧ.

Температура кристалла обратного диода должна соответствовать условию:

             (2.56)

123,3 ≤ 125º С – условие выполняется.

Температура кристалла транзистора должна соответствовать  этому же условию:

            (2.57)

117,3 ≤ 125ºС – условие выполняется.

 

      1. Расчет выпрямителя

Максимальное  значение выпрямленного тока Idm:

                       (2.58)

где n – количество IGBT транзисторов.

                (2.59)

Максимальный  ток диода:

                         (2.60)

где КСС = 1,045 – коэффициент для мостовой трехфазной схемы при опти-мальных параметрах Г-образного LC-фильтра, установленного на выходе выпрямителя.

 

 

Обратное  максимальное напряжение на диоде (2.61):

где КЗН ≥ 1,15 – коэффициент запаса по напряжению;

КС ≥ 1,1 – коэффициент допустимого повышения напряжения сети;

КСН = 1,35 – схемный коэффициент неуправляемого выпрямителя;

∆UП = (100 ÷ 150) В – запас на коммутационные выбросы в звене посто-янного тока.

Вентили выбираются по постоянному рабочему току и по классу на-пряжения. Выбираем диодный модуль RM250DZ-24 со средним прямым током IFAV = 250 А и импульсным повторяющимся обратным напряжением URRM = 1200 В (двенадцатый класс). Из трех диодных модулей реализуется мостовая схема трехфазного выпрямителя.

Расчет потерь мощности в выпрямителе:

                         (2.62)

где КСS = 0,577 – коэффициент для мостовой трехфазной схемы;

m – число диодов;

Ron – динамическое сопротивление диода в проводящем состоянии;

Uj – прямое падение напряжения на полупроводниковом приборе при токе 50 мА. Для диода .

Тепловое  сопротивление охладителя:

         (2.63)

где Тс = 100ºС – температура теплопроводящей пластины модуля охладителя;

Та = 45ºС – температура охлаждающего воздуха;

 

 

 

 

Rth(c-f) – термическое переходное сопротивление корпус – поверхность теплопроводящей пластины модуля. При установке модулей (выпря-митель, инвертор) на общий охладитель требуемое сопротивление определяется аналогично суммарному сопротивлению при парал-лельном включении резисторов

         (2.64)

 

      1. Расчет фильтра

Для расчета  фильтра принимаем коэффициент  сглаживания пульсаций S = (3 ÷ 12). Чем больше S, тем больше габариты фильтра, поэтому выбираем S = 3.

Коэффициент пульсации на входе фильтра:

                        (2.65)

Определяем  произведение:

      (2.66)

где fS = 30 Гц – минимальная частота полупроводникового ПЧ;

L0 – индуктивность дросселя для обеспечения коэффициента мощности на входе выпрямителя КМ ≈ 0,95, определяется из следующих условий:

         (2.67)

Выбираем  стандартное значение L0 = 0,45 мГн

С0 выбирается из двух условий:

  • во-первых, из условия реализации LC-фильтра, как

                                            (2.68)

  • во-вторых, должна обеспечивать возврат реактивной энергии электро-двигателя в конденсатор через обратные диоды инвертора:

                                (2.69)

 

где ISM – амплитудное значение тока в обмотке низшего напряжения транс-форматора, примерно равное максимальному значению тока через IGBT ключ инвертора (306,2А);

φ1 – угол сдвига между первой гармоникой фазового напряжения и фазо-вого тока, примерно равный arccosφУЭЦН ≈ 28,36º (cosφУЭЦН = 0,88);

q1 – коэффициент пульсации, определяемый из выражения:

               (2.70)

fSW – частота ШИМ, ранее принята 5000 Гц.

Определяем емкость конденсатора С02, необходимого для реализации LC-фильтра:

Для практической реализации фильтра используем конденсаторы с наибольшим значением емкости  С01, С02, т.е. конденсаторы с емкостью 1504 мкФ.

Амплитуда тока через конденсаторы фильтра на частоте  пульсаций выпрямленного тока (1 ой гармонике):

В зависимости  от величины емкости С01 и амплитуды тока IC0m форми-руем батарею конденсаторов емкостью не менее 1504 мкФ, допустимым по амплитуде током более 12,28 А и напряжением не менее (1,1…1,2)∙Ud, т.е. (1,1…1,2)∙513 ≥ 615,6 В. Запас по напряжению и току берется в зависимости от требуемого ресурса работы инвертора.

Из соображений  приемлемой стоимости, удобства распределенного  размещения электролитических конденсаторов  в преобразователе частоты для  уменьшения индуктивности монтажа, ремонтопригодности, доступности приобретения отдаем предпочтение батарее из “мелких” конденсаторов фирмы Siemens Matsushita Componens (10 конденсаторов по 680 мкФ/500 В, включенных по два последовательно для повышения рабочего напряжения – всего 5 таких пар емкости по 340 мкФ, которые включены параллельно для получения заданной емкости С0 > C01).

Возможно  также  применение в сглаживающем фильтре преобразовате-ля частоты для установки УЭЦН новых силовых компактных конденсаторов серии ЗСС НЗТМ фирмы EPCOS. Эти конденсаторы специально предназна-чены для монтажа непосредственно на выходные зажимы IGBT модулей. Специальный соединитель между IGBT и РСС НРТМ обеспечивает номинальную емкость и низкую индуктивность схемы. Основные параметры конденсаторов серии РСС НРТМ: номинальное напряжение 900…6000 В (выбираем напряжение 2000 В); номинальная емкость более 10000 мкФ; номинальный ток свыше 300 А; предельный импульсный ток до 200 кА; индуктивности 15… 40 нГн; гарантийный срок службы 15 лет; компактный

Информация о работе Контрольная работа по дисциплине : «Электротехнические комплексы, системы и сети»