Разработка усилителя

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 18 Мая 2013 в 18:45, курсовая работа

Краткое описание

Однако режим А в принципе не в состоянии обеспечить высокий КПД, так как независимо от уровня усиливаемого сигнала УЭ потребляет от источника питания все время примерно одинаковую мощность. Это связано с тем, что коэффициенты использования коллекторного тока и коллекторного напряжения в режиме А всегда меньше единицы ( ). Отсюда КПД транзисторного усилительного каскада, работающего в режиме А, всегда меньше 0,5:

По этой причине режим A в мощных оконечных каскадах, где КПД играет определяющую роль, практически не применяется.. Поскольку в режиме А отсутствует отсечка коллекторного тока, то характеризовать этот режим углом отсечки не принято, хотя с определенной оговоркой можно считать угол отсечки в этом режиме равным π.

Содержание

Введение…………………………………………………………..
3
1.
Выбор схемы выходного каскада………………………….......
7
2.

Расчет напряжений питания Е, потребляемой мощности Ро, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов Рк…
8
3.
Выбор оконечных транзисторов, расчет площади теплоотводов………………………………………………………
10
4.
Расчет элементов усилителя мощности……………………….....
12
5.
Выбор ОУ для усилителя мощности, расчет элементов цепи ООС…………………………………………………………………
16
6.
Расчет предварительного усилителя ..............................................
18
7.
Проектирование блока питания.…………………………………
24


Заключение…………………………………………………......... 35

Литература.……………………………………………………….. 36

Вложенные файлы: 1 файл

KURSACh_AE_MOJ_2.doc

— 806.00 Кб (Скачать файл)

Заключение 

 

В результате проведения курсового проекта была выполнена основная цель:

         Закрепление теоретических знаний  по дисциплине путем инженерного  проектирования электронного аналогового  устройства.

 

Были выполнены следующие  конкретные задачи курсового проекта: 

      • Изучение схемотехники мощных выходных каскадов;
      • Приобретение  навыков расчета энергетических параметров усилителей;
      • Освоение методики расчета тепловых режимов мощных полупроводниковых приборов;
      • Освоение принципов построения усилительных устройств на интегральных аналоговых микросхемах на основе глубокой отрицательной обратной связи;
      • Умение проектировать вторичные блоки питания электронных устройств на дискретных и интегральных полупроводниковых приборах.

 

В соответствии с индивидуальным заданием был спроектирован предварительный  усилитель на ОУ и усилитель мощности класса АВ, включая расчет тепловых режимов дискретных элементов и расчет блока питания.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Литература

 

Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник/К. М. Брежнев и др. Под ред. Б. Л. Перельмана.- М.: Радио и связь, 1981.

Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА: Справочник/ Н.Н. Акимов и др. Мн.: Беларусь, 1994.

Галкин В.И., Прохоренко В.А. Полупроводниковые приборы: (диоды  и транзисторы).-Мн.: Беларусь, 1979.

Резисторы: Справочник/ В.В.Дубровский и др.; Под ред. И.И.Четвертакова-2-е  изд. М.: Радио и связь, 1991.

Диоды: Справочник / О.П.Григорьев, В.Я.Замятин, Б.В.Кондратьев, С.Л.Пожидаев. – М.: Радио и связь, 1990.

Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / C. В. Якубовский и др.- М.: Радио и связь, 1989.

 

Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные  приборы. Справочник  / А.В.Баюков и  др. - М.: Энергоиздат, 1982. 744 с.

Интернет


 

 

 




Информация о работе Разработка усилителя