Этапы развития электронных устройств

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 09 Сентября 2013 в 00:51, курсовая работа

Краткое описание

Сегодня уже невозможно представить свою жизнь без персонального компьютера. Обычный системный блок, к которому мы все так давно привыкли стал абсолютно обыденной вещью. Мы уже не обращаем на него внимания как на чудо техники и на гений человеческого прогресса. Сегодня каждый, сколько бы ему ни было лет, может зайти домой и свободно воспользоваться стандартным пакетом услуг, которые установлены на любом компьютере. Но мало кто помнит о том громадном пути, который проделали ЭВМ для того, чтобы стать сегодняшним компьютером. Мы пользуемся сегодняшними плодами прогресса как совершенно обыденными вещами: как водой или электричеством.

Содержание

Реферат: Этапы развития электронных устройств……………………3
Задание 1.1………………………………………………….………….....9
Задание 1.2………………………………………………………………12
Задание 1.3………………………………………………………………16
Задание 2.1………………………………………………………………19
Задание 3.1………………………………………………………………25
Список использованных источников……………………………………..27

Вложенные файлы: 1 файл

Курсовая Тишалович.doc

— 1.01 Мб (Скачать файл)

Определили напряжение U13 между точками 1 – 3 и напряжение U34 между точками 3 – 4 цепи. Построили для ветви 2 – 3 цепи в масштабе векторную диаграмму тока и напряжений.

 

Контрольная работа № 3.1

Рассчитать схему однокаскадного низкочастотного усилителя: определить коэффициенты усиления по току Кi, напряжению Кu и мощности КР, а также входное RВХ и выходное RВЫХ сопротивления для заданного варианта схемы включения транзистора по его h-параметрам для рабочей точки. Величины сопротивления RН нагрузки и внутреннего сопротивления генератора сигналов RГ приведены для соответствующего варианта контрольного задания в табл. 3.1.

 

Исходные данные:

тип транзистора –  р-n-р; схема включения – ОК; h11 = 632 Ом; h12 = 1 Ом;

h21 = -40 Ом; h22 = 2,44∙10-4 Ом; RН = 1,5 кОм; RГ = 25 кОм.


 

 

 

 

 

 

 

 

РЕШЕНИЕ

 

Считаем, что размерность  параметров h12, h21 и h22 – Ом в условии указана ошибочно. Принимаем: h12 = 1 – коэффициент обратной связи по напряжению; h21 = -40 – коэффициент передачи по току; h22 = 2,44∙10-4 См – выходная проводимость; h11 = 632 Ом – входное сопротивление.

Транзистор р-n-р –  типа, включенный по схеме с общим коллектором, показан на рис. 3.3.

Находим:

КI = = = -29,3 – коэффициент усиления схемы по току;

КU = = ;

КU = -0,986 – коэффициент усиления схемы по напряжению;

КР = КIКU = -29,3∙(-0,986) = 28,9 – коэффициент усиления схемы по мощности;

RВХ = = = 632 – ;

RВХ = 43900 Ом = 43,9 кОм – входное сопротивление схемы;

RВЫХ = = ;

RВЫХ = 554 Ом – выходное сопротивление схемы.

Вывод по работе:

Рассчитали схему однокаскадного низкочастотного усилителя: определили коэффициенты усиления по току Кi, напряжению Кu и мощности КР, а также входное RВХ и выходное RВЫХ сопротивления для заданного варианта схемы включения транзистора по его h-параметрам для рабочей точки.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

 

    1. Электротехника и электроника. Контрольные работы Учебно–методическое пособие для самостоятельной работы./СамГТУ, сост. Ю.А. Мелешкин, А.А. Мартынов, В.И. Куликов. Самара, 2009.
    2. Волынский В.А. и др. Электротехника /Б.А. Волынский, Е.Н. Зейн, В.Е. Шатерников: Учеб. пособие для вузов. – М.: Энергоатомиздат, 2007.
    3. Расчет электронных схем. Примеры и задачи. Учеб. пособие для вузов по спец. электрон. техники /Г.И. Изъюрова, Г.В. Королев, В.А. Терехов и др. – М.: Высш. шк., 1987.
    4. Основы промышленной электроники: Учебник для неэлектротехн. спец. вузов /В.Г. Герасимов, О М. Князьков, А Е. Краснопольский, В.В. Сухоруков; под ред. В.Г. Герасимова. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 2006. – 336 с., ил.
    5. Бессонов Л.А. ТОЭ. М.: Высш. шк., 1996.
    6. Горячая линия – Телеком, 2002.
    7. Бессонов Л.А. Сборник задач по ТОЭ. М.: Высш. шк., 2001.

Информация о работе Этапы развития электронных устройств